专利名称：一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法
专利(申请)号：ZL201310251540.2
申请日期：2013-06-21
授权日期：2016-01-13 00:00:00
发明人：王维燕; 王林青; 黄金华; 黄俊俊; 曾俞衡; 宋伟杰; 谭瑞琴
其他发明人：
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所