专利名称：一种MOS器件漏电流瞬态采样装置
专利(申请)号：ZL202020560779.3
申请日期：2020-04-16
授权日期：2020-12-11 00:00:00
发明人：乔海; 张驰; 戴明志; 李荣; 张杰; 陈思鲁; 杨桂林
其他发明人：
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所