专利名称：一种Ag8SnSe6晶体生长方法
专利(申请)号：ZL201810666112.9
申请日期：2018-06-26
授权日期：2021-03-09 00:00:00
发明人：金敏; 蒋俊; 胡皓阳; 邵和助; 徐静涛; 江浩川
其他发明人：
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所