一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法
专利名称:一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法
专利(申请)号:ZL201911397370.2
申请日期:2019-12-30
授权日期:2022-06-10 00:00:00
发明人:陈玉云; 黄峰; 李朋; 孟凡平
其他发明人:
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利(申请)号:ZL201911397370.2
申请日期:2019-12-30
授权日期:2022-06-10 00:00:00
发明人:陈玉云; 黄峰; 李朋; 孟凡平
其他发明人:
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所