专利名称：p型多晶硅薄膜制备方法及其在钝化接触太阳电池中的应用
专利(申请)号：ZL202010200814.5
申请日期：2020-03-20
授权日期：2023-10-20 00:00:00
发明人：廖明墩; 叶继春; 曾俞衡; 闫宝杰; 智雨燕; 黄丹丹; 卢琳娜; 郑晶茗
其他发明人：
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所