专利名称：一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法
专利(申请)号：CN201711455904.3
申请日期：2017-12-28
授权日期：2024-07-05 00:00:00
发明人：巫远招; 刘宜伟; 李润伟
其他发明人：
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所