一种金属插层二维化合物及其制备方法
专利名称:一种金属插层二维化合物及其制备方法
专利(申请)号:ZL202310193194.0
申请日期:2023-03-03 00:00:00
授权日期:2023-07-11 00:00:00
第一发明人:黄庆
其他发明人:黄庆; 丁浩明; 李友兵
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 宁波杭州湾新材料研究院
专利(申请)号:ZL202310193194.0
申请日期:2023-03-03 00:00:00
授权日期:2023-07-11 00:00:00
第一发明人:黄庆
其他发明人:黄庆; 丁浩明; 李友兵
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 宁波杭州湾新材料研究院