中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用

专利名称:Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用
专利(申请)号:ZL202110870509.1
申请日期:2021-07-30 00:00:00
授权日期:2022-04-08 00:00:00
第一发明人:章建国
其他发明人:章建国; 张文瑞; 叶继春; 王维; 刘宁涛
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所