一种基于拓扑绝缘体的自旋极化电子源
专利名称:一种基于拓扑绝缘体的自旋极化电子源
专利(申请)号:ZL202121730654.1
申请日期:2021-07-28 00:00:00
授权日期:2022-01-25 00:00:00
第一发明人:杨秀富
其他发明人:杨秀富; 肖绍铸; 何少龙
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利(申请)号:ZL202121730654.1
申请日期:2021-07-28 00:00:00
授权日期:2022-01-25 00:00:00
第一发明人:杨秀富
其他发明人:杨秀富; 肖绍铸; 何少龙
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所