专利名称：一种调控钕铁硼磁体粗晶生长的方法
专利(申请)号：ZL202110856225.7
申请日期：2021-07-28 00:00:00
授权日期：2023-08-22 00:00:00
第一发明人：都业源
其他发明人：都业源; 陈仁杰; 尹文宗; 唐旭; 剧锦云; 闫阿儒
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所