专利名称：HEMT器件及其自隔离方法、制作方法
专利(申请)号：ZL202110665142.X
申请日期：2021-06-16 00:00:00
授权日期：2022-05-31 00:00:00
第一发明人：郭炜
其他发明人：郭炜; 叶继春; 戴贻钧; 徐厚强
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所