一种测量应变和磁场的双模态传感器及其制备方法
专利名称:一种测量应变和磁场的双模态传感器及其制备方法
专利(申请)号:ZL202110259978.X
申请日期:2021-03-10 00:00:00
授权日期:2023-02-03 00:00:00
第一发明人:巫远招
其他发明人:巫远招; 李晟斌; 刘宜伟; 李润伟
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利(申请)号:ZL202110259978.X
申请日期:2021-03-10 00:00:00
授权日期:2023-02-03 00:00:00
第一发明人:巫远招
其他发明人:巫远招; 李晟斌; 刘宜伟; 李润伟
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所