专利名称：一种硫化镉半导体薄膜的界面优化方法及其应用
专利(申请)号：ZL202110132844.1
申请日期：2021-01-29 00:00:00
授权日期：2024-04-09 00:00:00
第一发明人：况永波
其他发明人：况永波; 汪颖
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所