专利名称：一种利用光信号在忆阻器中实现正负光电导的方法
专利(申请)号：ZL202110104850.6
申请日期：2021-01-26 00:00:00
授权日期：2022-10-14 00:00:00
第一发明人：诸葛飞
其他发明人：诸葛飞; 沈柳枫; 胡令祥; 张莉
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所