专利名称：紫外辅助MOCVD生长超宽禁带半导体材料的方法及系统
专利(申请)号：ZL202011514514.0
申请日期：2020-12-21 00:00:00
授权日期：2024-04-12 00:00:00
第一发明人：郭炜
其他发明人：郭炜; 叶继春
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所