专利名称：构建磁性原子点接触的方法与器件磁电阻的调控方法
专利(申请)号：ZL201910824882.6
申请日期：2019-09-02 00:00:00
授权日期：2023-05-19 00:00:00
第一发明人：李润伟
其他发明人：李润伟; 谢卓琳; 高双; 叶晓羽; 公国栋
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所