中国科学院宁波材料技术与工程研究所

一种忆阻器及其制备方法和应用

专利名称:一种忆阻器及其制备方法和应用
专利(申请)号:ZL201910353729.X
申请日期:2019-04-29 00:00:00
授权日期:2023-04-18 00:00:00
第一发明人:诸葛飞
其他发明人:诸葛飞; 陈炜东; 胡令祥; 曹鸿涛
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所