专利名称：一种含有晶界相的钐钴永磁体及其制备方法
专利(申请)号：ZL201811313384.7
申请日期：2018-11-06 00:00:00
授权日期：2021-01-05 00:00:00
第一发明人：颜光辉
其他发明人：颜光辉; 刘壮; 闫阿儒; 张超越; 王广庆; 朱艳姣; 陈仁杰; 刘雷; 夏卫星; 李东
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所