专利名称：一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法
专利(申请)号：ZL201610272824.3
申请日期：2016-04-27 00:00:00
授权日期：2017-03-08 00:00:00
第一发明人：叶继春
其他发明人：叶继春; 曾俞衡; 高平奇; 韩灿; 廖明墩; 王丹; 蔡亮
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所