专利名称：利用磁控溅射法制备电阻率分布均匀的AZO薄膜的方法
专利(申请)号：ZL201510424508.9
申请日期：2015-07-17 00:00:00
授权日期：2017-11-24 00:00:00
第一发明人：黄峰
其他发明人：黄峰; 孟凡平; 李朋
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所