专利名称：晶体硅体少子寿命的测试方法
专利(申请)号：ZL201410673901.7
申请日期：2014-11-21 00:00:00
授权日期：2017-08-25 00:00:00
第一发明人：叶继春
其他发明人：叶继春; 潘淼; 高平奇; 韩灿
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所