专利名称：一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法
专利(申请)号：ZL201410653005.4
申请日期：2014-11-17 00:00:00
授权日期：2018-11-09 00:00:00
第一发明人：谢亚丽
其他发明人：谢亚丽; 李润伟; 詹清峰; 刘宜伟; 王保敏
专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所