一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法
专利名称:一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法
专利(申请)号:ZL201210323155.X
申请日期:2012-09-04 00:00:00
授权日期:2016-03-09 00:00:00
第一发明人:王彪
其他发明人:王彪; 许高杰
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利(申请)号:ZL201210323155.X
申请日期:2012-09-04 00:00:00
授权日期:2016-03-09 00:00:00
第一发明人:王彪
其他发明人:王彪; 许高杰
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所