中国科学院宁波材料技术与工程研究所

一种片式氧传感器的绝缘层浆料及绝缘层制备方法

专利名称:一种片式氧传感器的绝缘层浆料及绝缘层制备方法
专利(申请)号:ZL201210245798.7
申请日期:2012-07-16 00:00:00
授权日期:2014-12-31 00:00:00
第一发明人:王蔚国
其他发明人:王蔚国; 陈涛; 李景超; 蒋蓉蓉; 刘振彬; 黄宗波
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所