一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料及其制备方法
专利名称:一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料及其制备方法
专利(申请)号:ZL201010609755.3
申请日期:2010-12-28 00:00:00
授权日期:2012-12-05 00:00:00
第一发明人:刘丰华
其他发明人:刘丰华; 许高杰; 段雷; 李勇; 崔平
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利(申请)号:ZL201010609755.3
申请日期:2010-12-28 00:00:00
授权日期:2012-12-05 00:00:00
第一发明人:刘丰华
其他发明人:刘丰华; 许高杰; 段雷; 李勇; 崔平
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所