阴极真空电弧源薄膜沉积装置及沉积薄膜的方法
专利名称:阴极真空电弧源薄膜沉积装置及沉积薄膜的方法
专利(申请)号:ZL201010135514.X
申请日期:2010-03-25 00:00:00
授权日期:2012-07-25 00:00:00
第一发明人:汪爱英
其他发明人:汪爱英; 李洪波; 柯培玲
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利(申请)号:ZL201010135514.X
申请日期:2010-03-25 00:00:00
授权日期:2012-07-25 00:00:00
第一发明人:汪爱英
其他发明人:汪爱英; 李洪波; 柯培玲
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所