3月10日上午，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所光电信息材料与器件实验室邓高峰副研究员邀请，日本国立佐贺大学郭其新教授、桂林电子科技大学张法碧教授来访宁波材料所，分别做了题为“Current Status of Research on Rare Earth Doped Ultrawide Bandgap Semiconductors”、“超宽禁带氧化镓半导体薄膜异质外延与器件应用”的学术报告。

郭其新介绍了传统半导体发光与稀土发光的机理以及佐贺大学光半导体实验室在稀土掺杂氧化镓薄膜外延与发光二极管方面的研究进展，并分享了同步辐射光源在超宽禁带氧化镓、氧化锗材料电子结构和缺陷表征领域的研究成果。

张法碧介绍了其团队在水热法制备Tb掺杂氧化镓薄膜的合成与表征方面的研究成果和关于薄膜发光特性和发光机理的最新研究。

会后，两位教授就相关问题与现场师生进行了探讨交流。

郭其新，日本国立佐贺大学电气电子系教授，博士生导师。日本九州大学客座教授、上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室客座教授、中国科学院客座研究员。1990年、1992年和1996年在日本国立丰桥技术科学大学电气电子系获得学士、硕士和博士学位。2012年至2022年，担任佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任。主要从事化合物半导体材料制备与表征及同步辐射应用研究。迄今在Nature Commun.、Phys. Rev. B、J. Appl. Phys.、Appl. Phys. Lett.、Adv. Mat. 等期刊发表了论文380多篇，累计被引用超过11000次，H因子为54。入选斯坦福大学全球前2%顶尖科学家榜单，Elsevier出版集团顾问编辑。

张法碧，桂林电子科技大学信息与通信学院副院长，教授，博士生导师，本科和硕士毕业于哈尔滨工业大学，博士毕业于日本佐贺大学。从事宽禁带半导体氧化物薄膜外延与光电器件领域研究。曾获评 “广西E层次人才”、"广西创新人才培养示范"，入选“广西高等学校千名中青年骨干教师培育计划”，荣获日本文部科学省奖学金。在国际著名期刊发表论文近百篇，多篇论文被引用超过200次。 

郭其新教授作报告

 张法碧教授作报告

                                       （光电信息材料与器件实验室 邓高峰）