10月23日，美国斯坦福大学研究助理谢燕武博士到宁波材料所进行学术交流，并作了题为“Tuning the quasi two-dimensional electron gas at complex oxide interface”的学术报告。 

　　报告中，谢燕武介绍了使用电荷调控LaAlO₃/SrTiO₃界面准二维电子气（q2DEG）的研究工作，使用极性分子吸附和使用AFM探针施加偏压的办法来调控LaAlO₃/SrTiO₃界面的电输运特性。由于LaAlO₃/SrTiO₃界面的电输运对极性分子的吸附非常敏感，可以用来做气体分子传感器。通过优化上述两种调控方法可以将LaAlO₃/SrTiO₃界面q2DEG 的霍尔迁移率提高至20,000 cm²V^-1s^-1以上，从而首次在d电子体系q2DEG的霍尔电导中观察到具有四重简并度的新台阶。 

　　  谢燕武，美国斯坦福大学Geballe先进材料实验室的研究助理。2001年和2004年在吉林大学先后取得学士和硕士学位，2007年在中国科学院物理研究所取得博士学位。之后，先后在燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室、日本东京大学先端材料研究所和美国斯坦福大学Geballe先进材料实验室从事研究工作。主要从事复杂氧化物界面电子学的实验前沿研究，精通研究复杂氧化物的多种最先进的实验技术，能在原子尺度实现可控制备、表征探测与物性调控。研究工作既注重探索新奇的界面量子现象，又注重发展面向未来的新型电子器件。已在《Nature Materials》、《Nature Communications》、《Advanced Materials》和《Nano Letters》等国际主流学术期刊上发表研究论文共40余篇，是《Advanced Materials》和《Nano Letters》等多个学术期刊审稿人。 

                                                                                      （磁性材料事业部）