5月29日下午，中科院微电子所副研究员龙世兵、刘琦到宁波材料所进行学术交流，并分别作了题为“Resistive switching in binary oxide”和“Transition from threshold switching tomemory switching in theoxide-electrolyte-based RRAM”的学术报告。磁性材料事业部副研究员刘钢主持报告会，研究员李润伟、詹清峰、陈斌等参加了报告会。 

　　龙世兵从优化阻变器件性能、控制转变参数离散型和揭示阻变器件物理规律的角度出发，讲解了二元氧化物阻变存储器。刘琦介绍了限流对存储器的影响，当限流较小时，阻变存储器表现出挥发性特征；当限流较大时阻变存储器表现为非挥发特征。 

　　参会人员还就阻变存储器的数值模拟与控制导电丝的生长等问题同龙世兵和刘琦进行了交流。 

龙世兵在报告中

刘琦在报告中

　　龙世兵，中科院微电子所副研究员。1995年至1999年就读于北京科技大学物理系，获得学士学位；1999年至2002年就读于北京科技大学材料物理系，获得硕士学位。2002年至2005年就读于中科院微电子所，获得博士学位。2011年至2012年，作为访问学者在UniversitatAutònoma de Barcelona (UAB)电子工程系从事研究工作。现为IEEE会员， 北京电子学会半导体专业委员会委员兼秘书等。研究兴趣主要集中于阻变存储器。承担11项研究项目，包括国家科技重大专项，“863”计划，中国科学院重大科研装备研制项目，国家自然科学基金等。现为Advanced Materials, Advanced Functional Materials, IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions of Electron Devices, IEEE Transactions on Nanotechnology, Applied physics Letters, Nanoscale, Nanaoscale Research Letters, Nanotechnology, Chemical Commnications, Electrochemical Solid-State Letters, Thin Solid Films, Journal of Physics D: Applied Physics, Applied Physics A, Journal of Materials Chemistry, Materials Chemistry and Physics, Physical Chemistry Chemical Physics, Chinese Physics, Chinese Physics Letters,Chinese Science, Chinese Science Buletin等杂志审稿人。 

　　刘琦，中科院微电子所副研究员，长期从事新型非挥发存储技术和微纳加工技术的研究工作，参与了多项关于非挥发存储技术研究的国家重大专项、863、973和自然科学基金等项目的研究工作。迄今在Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Nanoscale、APL、Nanotechnology和IEEE EDL等国际知名杂志上发表SCI论文47篇，SCI他引900多次，H因子17。拥有4项授权中国发明专利和3项美国发明专利。目前是Adv. Mater.、APL、EDL等期刊的审稿人。 

                                                                                   （磁材事业部）